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Rep. Adam Schiff said he's "exhausted by the private misgivings" among Republicans. | Damian Dovarganes/AP Photo
通用电气GE再次成为盗窃者的目标。(AP)

偷!GE又一华人工程师承认盗窃商业祕密

【希望之声2020年5月30日】(本台记者季云综合编译)周四(5月28日),就职于通用电气(GE)全球研究部(既纽约州立大学综合技术学院GE实验室)的42岁的华裔工程师隋洋(Yang Sui,音译)在纽约的联邦法庭认罪,并承认他在2015年至2017年间,从GE窃取了多个与碳化硅MOSFET的研究、设计和制造有关的电子文件。随洋并非第一个从GE窃取科技成果的华裔工程师。

GE实验室当地媒体《Time Union》报导,认罪书说,隋洋多次从GE的资料服务器下载资料,并把资料发送到他的Gmail帐号,他回家后再把资料下载存档。

隋洋还承认他打算利用碳化硅制造说明,开办自己的公司。他还打算吸引3千万美元的风险投资。联邦检察官的认罪书中还说,从2017年开始,被告就开始制作自己的商业计划,打算开办自己的私人企业,生产、销售与GE研究、开发、设计及制造的相同的碳化硅产品。

纽约联邦法院法官蒂阿格斯蒂诺(Mae A. D’Agostin)将于9月22日宣布对隋杨的量刑。隋杨所犯的“窃取商业机密罪”面临最高10年监禁,以及最高25万美元或犯罪所获财务收益两倍的罚款,外加刑满后最高三年监督释放。根据认罪书, GE的损失估计至少50万美元。

据隋杨在领英网(LinkedIn)上的个人信息,他于1996年考上北京清华大学,攻读材料科学,之后在衣阿华州立大学和普渡大学分获硕士和博士学位,攻读博士期间他曾任普渡大学中国学生学者联谊会副会长。2010年10月至2018年1月, 他在位于纽约上州Niskayuna的通用集团全球研发中心担任半导体装置工程师。

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛用于模拟电路与数字电路的场效应晶体管。起诉书介绍,碳化硅MOSFET被用于通用电气的各种零件和产品,包括航空设备和风力涡轮机。纽约州立大学综合技术学院GE实验室研究制造碳化硅芯片,这些芯片被用于制造电力电子开关。

隋洋不是第一位涉GE商业秘密盗窃案的华人科技人员。2014年,来自中国的电脑软件工程师谢军(Jun Xie,音译)被控盗窃通用医疗集团(GE Healthcare)的商业机密,他窃取了工程设计、产品测试信息和业务战略等内容的1.4 GB或240万个文件,发送给中国的亲戚。因他是H-1B工作签证,定罪后即被递解出境。

2018年,中共千人计划”专家、GE工程师郑小清在GE能源及水(GE Power & Water)部门工作期间,用“隐写术”窃取包括天然气与蒸气涡轮科技设计模型、工程图及其它细节的文件,并将这些档案寄给在中国的商人张照曦 (Zhaoxi Zhang,音译)。郑小清案现正在审理中。

责任编辑:楊曉

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